OFweek電子工程網(wǎng)訊 全球手機(jī)芯片龍頭高通（Qualcomm）布局功率放大器（PA）等射頻（RF）元件策略轉(zhuǎn)向，擬由現(xiàn)行委由臺(tái)積電代工的互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）制程，轉(zhuǎn)為砷化鎵制程，宏捷科、穩(wěn)懋等代工廠(chǎng)有機(jī)會(huì)受惠，對(duì)臺(tái)積電影響則待觀察。
　　高通2014年推出自家的射頻元件方案“RF360”，是采用半導(dǎo)體CMOS制程的PA，具低成本優(yōu)點(diǎn)，且由臺(tái)積電以八寸廠(chǎng)制造，再搭配自家手機(jī)芯片出貨，與其他PA制造商Skyworks、Avago、RFMD等PA供應(yīng)商采用砷化鎵（GaAs）制程不同。
　　不過(guò)，高通日前甫宣布與日系零組件大廠(chǎng)TDK合資，擬在新加坡設(shè)立新公司“RF360 Holdings Singapore”，其中TDK旗下從事射頻模組業(yè)務(wù)的子公司EPCOS，會(huì)將部分業(yè)務(wù)分拆出來(lái)成立“RF360”，代表高通對(duì)RF元件布局將有改變， 成為日前法說(shuō)會(huì)焦點(diǎn)之一。
　　
　　高通執(zhí)行長(zhǎng)莫倫科夫（Steve Mollenkopf）回應(yīng)時(shí)表示，與TDK合作推出的“gallium arsenide PAs”（即砷化鎵PA）將于2017年生產(chǎn)，這是一個(gè)比較合適的時(shí)間點(diǎn)，屆時(shí)會(huì)再尋找合適的應(yīng)用市場(chǎng)。
　　法人認(rèn)為，以莫倫科夫說(shuō)法來(lái)看，代表高通旗下RF元件采用的PA制程，將由現(xiàn)行CMOS轉(zhuǎn)向砷化鎵，在這個(gè)架構(gòu)下，未來(lái)勢(shì)必還要調(diào)整代工廠(chǎng)，由目前的臺(tái)積電轉(zhuǎn)至穩(wěn)懋、宏捷科這類(lèi)的砷化鎵代工廠(chǎng)。
　　由于高通計(jì)劃在2017年推出新的砷化鎵PA，市場(chǎng)預(yù)期，今年會(huì)開(kāi)始尋找合適代工廠(chǎng)，最快年底就會(huì)有樣品，明年就能上市。
　　在智慧型手機(jī)轉(zhuǎn)進(jìn)第四代行動(dòng)通訊（4G）時(shí)代，使用PA顆數(shù)至少七至八顆，比3G手機(jī)多出一到兩顆，加上這兩年4G手機(jī)數(shù)量呈跳躍式成長(zhǎng)，帶動(dòng)一波RF元件動(dòng)能。
　　相較高通推出自家PA等RF元件，競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手聯(lián)發(fā)科則是采合作方式，在手機(jī)公板上認(rèn)證Skyworks、Avago、RFMD及陸廠(chǎng)Vanchip的元件，避免周邊零組件供應(yīng)出現(xiàn)長(zhǎng)短腳現(xiàn)象。